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磁控溅射技术近年来发展很快，其代表方法有平衡磁控溅射、反应磁控溅射、中频磁控溅射和高能量脉冲磁控溅射等。
溅射镀膜工艺主要是将需要镀膜的材料制备成靶板，固定于溅射镀膜系统的阴极上，所述靶板的基片置于正对靶表面的阳极上。溅射系统抽到高真空后充入氩气等，使阴极与阳极之间产生高压负载，阴阳极之间产生低压辉光放电。由放电产生的等离子体中，氩气正离子在电场的作用下向阴极运动，与目标表面发生碰撞，被碰撞而溅射的目标原子被称为溅射原子，溅射原子的能量一般在一至几十电子伏范围内，溅射原子先在基底表面沉积，然后形成膜。溅射膜是指用低气压辉光放电产生的氩气正离子对阴极靶进行高速度的电场轰击，溅射靶内的原子或分子等粒子，使之沉积到基片或工件表面，从而形成所需的薄膜层。但在镀膜过程中，溅射出的微粒能量很低，成膜率较低。
磁控制溅射是获得高质量镀膜技术中应用最为广泛的工艺，新型阴极的应用使其具有较高的靶材利用率和较高的沉积速率，真空磁控制溅射镀膜工艺目前广泛应用于大面积基材的镀膜中。本方法不仅可用于单层膜的沉积，也可用于多层膜的镀制，也可用于包覆膜、光学膜、贴膜等的包覆工艺。
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